[发明专利]对不合格硅片的处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池片技术领域，更为具体的说，涉及一种对不合格硅片的处理方法。

背景技术

传统的化石能源发电带来的环境污染问题，正在威胁着人类赖以生存的环境，因此，开发一种绿色无污染的能源势在必行。太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转换为电能的半导体器件，由于其为绿色环保产品，不会引起环境的污染，因此在当今能源紧缺的情形下，太阳能电池是一种具有发展前景的新型产品。

一般的，晶体硅太阳能电池的制作工艺包括：制绒-PN结扩散-刻蚀-镀膜-丝网印刷-烧结。其中，由于制作工艺复杂，在丝网印刷工艺前，即在制绒～镀膜工艺中，由于设备的不稳定或人为误操作等原因，导致在生产过程中经常出现大量的不合格硅片，这些不合格硅片直接影响产品的生产合格率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种对不合格硅片的处理方法，以通过对不合格硅片进行处理后再次利用，节约资源，提高了产品的生产合格率。

下面为本发明提供的技术方案：

一种对不合格硅片的处理方法，用于处理在丝网印刷工艺前产生的不合格硅片，包括：

获取不合格硅片；

采用预设浓度的氢氟酸溶液浸泡所述不合格硅片；

采用表面腐蚀液，在第一预设时间和第一预设温度的条件下，腐蚀所述不合格硅片；

采用预设体积比例的氢氧化钾溶液清洗所述不合格硅片；

采用预设体积比例的氯化氢和氢氟酸溶液，在第二预设时间和第二预设温度的条件下，清洗所述不合格硅片；

对所述不合格硅片进行扩散工艺，使所述不合格硅片的方阻在预设方阻范围内；

对所述不合格硅片进行镀反射膜工艺，使所述不合格硅片的反射膜厚度在预设厚度范围内。

优选的，所述氢氟酸溶液的预设浓度为49％。

优选的，采用所述表面腐蚀液对所述不合格硅片的表面腐蚀厚度范围为2.5微米～3微米，包括端点值。

优选的，所述表面腐蚀液为氢氟酸和硝酸溶液。

优选的，所述氢氟酸和硝酸溶液的体积比为：氢氟酸：硝酸：水＝3:10:5；

所述第一预设时间为20s；

以及，所述第一预设温度为8摄氏度。

优选的，所述氢氧化钾与水的体积比为：氢氧化钾：水＝1:25。

优选的，所述氯化氢和氢氟酸溶液的体积比为：氯化氢：氢氟酸：水＝1:2:15；

所述第二预设时间的范围为30s～90s，包括端点值；

所述第二预设温度的范围为8摄氏度～13摄氏度，包括端点值。

优选的，所述预设方阻范围为48～88hm/square，包括端点值。

优选的，所述镀反射膜工艺为PECVD工艺。

优选的，所述预设厚度范围为80～84nm，包括端点值。

相较于现有技术，本发明提供的技术方案具有以下优点：

本发明提供的一种对不合格硅片处理的方法，包括：获取不合格硅片；采用预设浓度的氢氟酸溶液浸泡不合格硅片；采用表面腐蚀液，在第一预设时间和第一预设温度的条件下，腐蚀不合格硅片；采用预设体积比例的氢氧化钾溶液清洗不合格硅片；采用预设体积比例的氯化氢和氢氟酸溶液，在第二预设时间和第二预设温度的条件下，清洗不合格硅片；对不合格硅片进行扩散工艺，使不合格硅片的方阻在预设方阻范围内；对不合格硅片进行镀反射膜工艺，使不合格硅片的反射膜厚度在预设厚度范围内。

由上述内容可知，采用本发明提供的技术方案，对在丝网印刷工艺前产生的不合格硅片进行处理后，可以再次使用制作太阳能电池片，避免了资源的浪费，提高了产品的生产合格率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种对不合格硅片的处理方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。