[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201410441784.1 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104300004A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 姜春生 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于显示装置制造技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管稳定性差的问题。本发明的薄膜晶体管包括刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层的材料为金属氧化物，且所述金属氧化物的介电系数大于4F/m。同时本发明还提供了该薄膜晶体管的制备方法，以及包括该薄膜晶体管的阵列基板，以及显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括刻蚀阻挡层，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为金属氧化物，且所述金属氧化物的介电系数大于4F/m。
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