[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201410441784.1 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104300004A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 姜春生 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括刻蚀阻挡层，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为金属氧化物，且所述金属氧化物的介电系数大于4F/m。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为：氧化铝、氧化钼、氧化钨中的任意一种或几种形成的复合材料。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括设于刻蚀阻挡层下方的氧化物半导体有源层。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅极、栅极绝缘层，所述栅极设于所述氧化物半导体有源层下方，并通过所述栅极绝缘层与氧化物半导体有源层隔开。
5.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括形成刻蚀阻挡层的步骤，其中所述刻蚀阻挡层的材料为介电系数大于4F/m的金属氧化物。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物的材料为：氧化铝、氧化钼、氧化钨中的任意一种或几种形成的复合材料。
7.根据权利要求5或6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述形成刻蚀阻挡层的步骤具体包括：
在基底上形成金属薄膜；
通过构图工艺形成包括图案化的金属薄膜的图形；
对完成上述步骤的基底放入含氧气体中并退火，使图案化的金属薄膜氧化为图案化的金属氧化物薄膜，从而形成包括刻蚀阻挡层的图形。
8.根据权利要求7所述的，薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述退火的温度在260至320度之间。
9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成刻蚀阻挡层的步骤之前还包括：
在基底上通过构图工艺形成包括栅极的图形；
在完成上述步骤的基底上，形成栅极绝缘层；
在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括氧化物半导体有源层的图形。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1～4中任意一种所述的薄膜晶体管。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的阵列基板。
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