[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。所述方法包括下列步骤：首先，形成一叠层于位在一基板上的一底层上，此一叠层是由交替的多个牺牲层和多个绝缘层所构成；接着，同时形成贯穿叠层的多个第一孔洞和多个第二孔洞；在所形成的半导体结构中，第一孔洞和第二孔洞是至少在一排列方向上彼此等距地分离。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，包括：形成一叠层于位在一基板上的一底层上，该叠层是由交替的多个牺牲层和多个绝缘层所构成；同时形成贯穿该叠层的多个第一孔洞和多个第二孔洞；形成一覆盖层于该叠层上，其中在同时形成贯穿该叠层的这些第一孔洞和这些第二孔洞的步骤中，这些第一孔洞和这些第二孔洞亦贯穿该覆盖层；以及形成一非共形层于该覆盖层上并覆盖这些第一孔洞和这些第二孔洞。