[发明专利]发光二极管芯片的衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 201410433943.3 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105374907B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 彭建忠;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 谢志为 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管芯片的衬底的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上覆盖一缓冲层，并在缓冲层上覆盖一金属薄膜；将承载缓冲层和金属薄膜的衬底高温回火使得金属薄膜形成相互间隔纳米级金属颗粒；以金属颗粒为掩膜向下蚀刻缓冲层形成纳米柱；去除纳米柱顶端的金属颗粒；在衬底上设置图案化的光阻层并进行曝光显影在衬底表面形成若干相互间隔的离散光阻柱；以及对衬底及光阻柱进行蚀刻，在衬底表面形成微米微结构并于微米微结构和衬底的表面进一步形成纳米微结构。本发明还提供一种发光二极管芯片的衬底的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的衬底的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上覆盖一缓冲层，并在缓冲层上覆盖一金属薄膜；将承载缓冲层和金属薄膜的衬底高温回火使得金属薄膜形成相互间隔纳米级金属颗粒；以金属颗粒为掩膜向下蚀刻缓冲层形成纳米柱；去除纳米柱顶端的金属颗粒；在衬底上设置图案化的光阻层，所述光阻层覆盖所述纳米柱且显露部分所述衬底表面，并对所述光阻层进行曝光显影在衬底表面形成若干相互间隔的离散光阻柱；以及采用干式蚀刻法对衬底及光阻柱进行蚀刻，所述衬底与所述光阻柱均能够与蚀刻气体发生反应，以在衬底表面形成微米微结构并于所述微米微结构和衬底的表面进一步形成纳米微结构，所述微米微结构相互间隔并呈圆锥形，所述纳米微结构形成于所述微米微结构的锥形表面和各微米微结构之间的衬底表面上。
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