[发明专利]一种双接触孔刻蚀停止层的制作方法

摘要

本发明公开了一种双接触孔刻蚀停止层的制作方法，通过在MOS器件作为接触孔刻蚀停止层的高张应力氮化硅层上，以由氮化硅层和氧化硅层交替组成的多层叠层作为PMOS区域的紫外光阻挡层，对PMOS、NMOS区域的高张应力氮化硅层进行选择性的紫外光固化处理，得到在PMOS区域上覆盖张应力相对较低的高张应力氮化硅层，而在NMOS区域上覆盖张应力相对较高的高张应力氮化硅层，实现在PMOS、NMOS区域具有不同高张应力的氮化硅双接触孔刻蚀停止层，既避免了单步高张应力氮化硅沉积对PMOS器件空穴迁移率的消极影响，又避免了两步氮化硅沉积形成双接触孔刻蚀停止层工艺的复杂性，实现用较低的成本提升了器件的电性能。

主权项

一种双接触孔刻蚀停止层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一MOS器件，在所述MOS器件上沉积一层高张应力氮化硅层作为接触孔刻蚀停止层；步骤二：在所述高张应力氮化硅层上沉积一层非晶碳层作为所述高张应力氮化硅层的保护层；步骤三：在所述非晶碳层上依次交替沉积氮化硅层、氧化硅层，形成由所述氮化硅层和所述氧化硅层组成的多层叠层，作为紫外光阻挡层；步骤四：将所述MOS器件NMOS区域的所述叠层去除；步骤五：对所述高张应力氮化硅层进行紫外光固化处理；步骤六：将所述MOS器件PMOS区域的所述叠层去除，然后，去除所述非晶碳层，以在所述MOS器件上形成具有不同高张应力的氮化硅双接触孔刻蚀停止层。