[发明专利]In2O3-WO3氧化物半导体丙酮传感器、制备方法及其应用无效
| 申请号： | 201410427419.5 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104155349A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 卢革宇;冯昌浩;李鑫;孙彦峰;孙鹏;郑杰;马健 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;D01D5/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 张景林;王恩远 |
| 地址： | 130012吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种利用静电纺丝技术制备的In2O3-WO3氧化物半导体丙酮传感器、制备方法及其在检测人体是否患有糖尿病方面的应用，属于气体传感器技术领域。传感器由市售的外表面自带有2个环形金电极的Al2O3绝缘陶瓷管、涂覆在环形金电极和Al2O3绝缘陶瓷管外表面的In2O3-WO3氧化物半导体敏感材料、穿过Al2O3绝缘陶瓷管内部的镍镉合金加热线圈组成。该传感器对低浓度(<1ppm)的丙酮具有较好的线性度，这些特点使In2O3-WO3氧化物半导体丙酮传感器能够很好的应用于非侵入式医疗检测，进一步可以通过检测人体呼吸中丙酮含量判断测试人员是否患有糖尿病。 | ||
| 搜索关键词： | in2o3 wo3 氧化物 半导体 丙酮 传感器 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种In2O3‑WO3氧化物半导体丙酮传感器，由外表面带有2个环形金电极(5)的Al2O3绝缘陶瓷管(1)、涂覆在环形金电极(5)和Al2O3绝缘陶瓷管(1)外表面的半导体敏感材料(2)、穿过Al2O3绝缘陶瓷管(1)内部的镍镉合金加热线圈(3)和用于导电的铂线(4)组成；其特征在于：半导体敏感材料(2)为In2O3‑WO3氧化物半导体，该敏感材料是采用静电纺丝技术制备，经煅烧、研磨，涂覆在环形金电极(5)和Al2O3绝缘陶瓷管(1)外表面。
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