[发明专利]一种基于深亚微米CMOS工艺的横向MOM电容有效
| 申请号： | 201410427404.9 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104882430A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 赵鹏辉;张建平;李罗生 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100102 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于深亚微米CMOS工艺的横向MOM电容。这种电容结构兼容于标准CMOS工艺，不需要额外的掩膜层支持，该电容可代替代工厂提供的MIM(Metal-Insulator-Metal)电容，从而避免了使用MIM电容时因增加的额外掩膜层CTM层密度不足造成芯片生产时良率降低的问题。这种电容由多层金属堆叠组成，金属层采用工艺允许的最小宽度，金属层间距采用工艺允许的最小距离，保证在最小的面积内获得最大的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 微米 cmos 工艺 横向 mom 电容 | ||
【主权项】：
一种基于深亚微米CMOS工艺的横向MOM电容，该电容由多层金属堆叠而成，同一层金属采用工艺允许的最小宽度和最小间距，同层相邻的金属和层间介质构成横向电容C，同层金属中包含多个横向电容C，多层的多个横向电容C并联构成横向MOM电容，不同层金属两侧垂直相连的金属构成横向MOM电容的金属互联区，水平排布的横向电容C构成横向MOM电容的电容区，不同层金属在金属互联区通过金属VIA相连，不同层金属在电容区无连接。
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