[发明专利]一种碳化硅双极性晶体管有效
| 申请号： | 201410425765.X | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104201197A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 张有润;孙成春;董梁;马金荣;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体的说是涉及一种碳化硅双极性晶体管。本发明的碳化硅双极性晶体管，其特征在于，在N+发射区205与P+掺杂区207之间的P-基区204上表面设置有N+外延层210；所述N+外延层210上表面设置有N+外延层电极211；所述基极208与N+外延层210和N+外延层电极211之间、N+外延层210和N+外延层电极211与N+发射区205和发射极206之间通过SiO2介质层209隔离。本发明的有益效果为，既能有效地降低表面复合、提高电流增益，同时其结构简单，在工艺上较容易实现。本发明尤其适用于碳化硅双极性晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 极性 晶体管 | ||
【主权项】：
一种碳化硅双极性晶体管，包括N+衬底(202)、设置在N+衬底(202)上层的N‑漂移区(203)和设置在N‑漂移区(203)上层的P‑基区(204)；所述N+衬底(202)下表面设置有集电极(201)；所述P‑基区(204)上表面中间部位设置有N+发射区(205)，其上层的两侧分别设置有P+掺杂区(207)；所述N+发射区(205)上表面设置有发射极(206)；所述P+掺杂区(207)上表面设置有基极(208)；其特征在于，在N+发射区(205)与P+掺杂区(207)之间的P‑基区(204)上表面设置有N+外延层(210)；所述N+外延层(210)上表面设置有N+外延层电极(211)；所述基极(208)与N+外延层(210)和N+外延层电极(211)之间、N+外延层(210)和N+外延层电极(211)与N+发射区(205)和发射极(206)之间通过SiO2介质层(209)隔离。
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