[发明专利]半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置有效
| 申请号： | 201410412612.1 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104752163B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木隆史;山本哲夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;王大方 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及高效率地除去喷头内的副产物、并抑制颗粒生成的半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置。本发明的半导体器件的制造方法，具有：成膜工序，通过喷头向处理室内的衬底上供给成膜气体和非活性气体，在所述衬底上形成膜；和堆积膜除去工序，在所述处理室内没有衬底的状态下，将温度比所述成膜工序时供给的所述非活性气体低的非活性气体供给到所述喷头，由此除去因所述成膜工序而堆积在所述喷头内的堆积膜。 | ||
| 搜索关键词： | 喷头 半导体器件 非活性气体 成膜工序 衬底 堆积 衬底处理装置 制造 室内 成膜气体 副产物 高效率 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：成膜工序，通过喷头将成膜气体和非活性气体供给到处理室内的衬底上，并在所述衬底上形成膜；和堆积膜除去工序，在所述处理室内没有衬底的状态下，将温度比所述成膜工序时供给的所述非活性气体低的非活性气体供给到所述喷头，由此除去因所述成膜工序而堆积在所述喷头内的堆积膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
