[发明专利]金属氧化物半导体场效晶体管限流控制电路

摘要

本发明提供了一种金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)限流控制电路，具有一MOSFET、一第一放大器、一定电流限压电路及一第一晶体管，该MOSFET的漏极电连接至该输入电源、源极电连接至该负载且接地、栅极电连接至该定电流限压电路；该第一晶体管的发射极电连接至该定电流限压电路、基极电连接至该第一放大器、集电极接地；该第一放大器用以检测该MOSFET限流控制电路的输出电压，通过该第一晶体管并配合该定电流限压电路来控制该MOSFET的栅极电压为一稳定值，以限制该MOSFET的漏极电流大小，保护该MOSFET，且未设置有限流电阻，以减少能量的损耗。

主权项

一种金属氧化物半导体场效晶体管限流控制电路，电连接于一输入电源及一负载之间，其特征在于，该金属氧化物半导体场效晶体管限流控制电路包含有：一输入正端；一输入负端；一金属氧化物半导体场效晶体管，具有一漏极、一源极及一栅极，该漏极电连接至该输入正端，该源极电连接接地；一输出正端，电连接至该金属氧化物半导体场效晶体管的源极；一输出负端，电连接至该输入负端；一分压电路，为一第一分压电阻串联一第二分压电阻后，电连接于一参考电源及该输出负端之间；一第一放大器，具有一第一正输入端、一第一负输入端及一第一输出端，该第一正输入端电连接至该分压电路的第一分压电阻及第二分压电阻的串联节点，该第一负输入端接地；一定电流限压电路，具有一定电流输出端，该定电流输出端电连接至该金属氧化物半导体场效晶体管的栅极，定电流限压电路包含有：一第二放大器，具有一第二正输入端、一第二负输入端及一第二输出端，该第二正输入端电连接至一限压电源，该第二负输入端通过一电阻电连接至一正电源；一第二晶体管，具有一发射极、一基极及一集电极，该第二晶体管的发射极电连接至该第二放大器的第二负输入端，该第二晶体管的基极电连接至该第二放大器的第二输出端，而该第二晶体管的集电极电连接至该金属氧化物半导体场效晶体管的栅极，以作为该定电流限压电路的定电流输出端；一第一晶体管，具有一发射极、一基极及一集电极，该发射极电连接至该金属氧化物半导体场效晶体管的栅极，该基极电连接至该第一放大器的第一输出端，该集电极接地；其中该输入正端及该输入负端供电连接至该输入电源，而该输出正端及该输出负端供电连接至该负载。