[发明专利]高产量多晶片外延反应器

摘要

本发明揭示了一种能够在多块晶片上同时沉积薄膜的外延反应器。在沉积期间,许多晶片包含在晶片套内,所述晶片套包括许多晶片载盘,所述晶片载盘紧密相隔以使处理体积最小化。处理气体优先流入晶片套的内部体积,用一个或多个灯模组加热晶片套。吹扫气体在反应室内的晶片套外面流动,以使室壁上的沉积减至最少。另外,在灯模组内的单独灯的照明排序,可以进一步改进晶片套内的沉积率变化的线性。为了提高均匀性,处理气体流动的方向可以以交叉流动构型变化。在多个反应器系统内结合灯排序和交叉流动处理,能够有高产量的沉积与良好的薄膜均匀性,而且有效地使用处理气体。

主权项

一种用于同时处理多块晶片的反应器,其包括:反应器框架；附着于所述反应器框架上的第一平面加热模组；晶片套,所述晶片套包括一对紧密相隔的平行的晶片载盘以及内部载盘,所述内部载盘平行于所述的一对晶片载盘并位于所述的一对晶片载盘之间,所述一对平行的晶片载盘面向所述内部载盘的表面为内表面，所述一对平行的晶片载盘的所述内表面包括第一安装结构，以及，所述内部载盘面向所述一对平行的晶片载盘的所述内表面的所述表面包括第二安装结构，所述第一安装结构和所述第二安装结构被配置成保持所述多块晶片；其中,所述反应器被配置有用于将所述晶片套传送贯穿所述反应器的路径，并配置有用于所述晶片套的处理位置，当所述晶片套位于所述处理位置之中时，所述一对平行的晶片载盘与所述第一平面加热模组平行且相邻；其中，所述晶片套的侧面是封闭的，并且所述晶片套的一端或两端至少部分密封以限制所述晶片套内的处理气体的流动远离所述反应器的壁,并且其中所述晶片套被远离所述反应器的壁辐射式加热。