[发明专利]高产量多晶片外延反应器

权利要求书

1.一种用于同时处理多块晶片的反应器,其包括:

反应器框架；

附着于所述反应器框架上的第一平面加热模组；

晶片套,所述晶片套包括一对紧密相隔的平行的晶片载盘以及内部载盘,所述内部载盘平行于所述的一对晶片载盘并位于所述的一对晶片载盘之间,所述一对平行的晶片载盘面向所述内部载盘的表面为内表面，所述一对平行的晶片载盘的所述内表面包括第一安装结构，以及，所述内部载盘面向所述一对平行的晶片载盘的所述内表面的所述表面包括第二安装结构，所述第一安装结构和所述第二安装结构被配置成保持所述多块晶片；

其中,所述反应器被配置有用于将所述晶片套传送贯穿所述反应器的路径，并配置有用于所述晶片套的处理位置，当所述晶片套位于所述处理位置之中时，所述一对平行的晶片载盘与所述第一平面加热模组平行且相邻；

其中，所述晶片套的侧面是封闭的，并且所述晶片套的一端或两端至少部分密封以限制所述晶片套内的处理气体的流动远离所述反应器的壁,并且其中所述晶片套被远离所述反应器的壁辐射式加热。

2.如权利要求1所述的反应器,其特征在于,进一步包括固定在所述第一平面加热模组和贯穿所述反应器的所述晶片套的所述路径之间的第一窗口。

3.如权利要求1所述的反应器,其特征在于,进一步包括

附着于所述反应器框架上的第二平面加热模组,所述第二平面加热模组位于用于所述晶片套的所述处理位置的与所述第一平面加热模组相对的一侧,所述第二平面加热模组平行于所述第一平面加热模组；

其中，当所述晶片套处于所述处理位置时，所述一对平行晶片载盘中的第一个与所述第一平面加热模组平行且相邻，并且，当所述晶片套处于所述处理位置时，所述一对平行晶片载盘中的第二个与所述第二平面加热模组平行且相邻，所述第一平面加热模组隔着所述处理位置而与所述第二平面加热模组相面对。

4.如权利要求1所述的反应器,其特征在于,所述第一平面加热模组为包括多个灯的灯模组。

5.如权利要求4所述的反应器,其特征在于,所述多个灯每个都沿平行于所述晶片载盘的第一方向线性延伸。

6.如权利要求5所述的反应器,其特征在于,进一步包括冷却气体源,所述冷却气体源用于使冷却气体在所述第一方向上沿所述灯模组内的所述多个灯的每个灯流动。

7.如权利要求6所述的反应器,其特征在于,所述冷却气体源被导向到所述多个灯的每个灯的轴向中部,并进一步包括两个排气口,所述两个排气口分别设置在所述多个灯的每个灯的相对端附近。

8.如权利要求4所述的反应器,其特征在于,所述多个灯的每个灯被配置成提供可独立控制的光输出。

9.如权利要求1所述的反应器,其特征在于,所述晶片套还包括两个端盖,所述的一对晶片载盘和所述内部晶片载盘可拆卸地附着到所述两个端盖上,所述两个端盖、所述的一对晶片载盘以及所述内部晶片载盘形成两个处理腔,每个所述处理腔的第一相对端由所述端盖封闭,而第二相对端敞开。

10.如权利要求9所述的反应器,其特征在于,从所述两个端盖的每个端盖延伸的舌状件确定所述的一对晶片载盘的内表面与所述内部晶片载盘之间的间隔。

11.如权利要求1所述的反应器,其特征在于,所述晶片套还包括结构层,所述结构层附着于所述的一对晶片载盘的外表面上。

12.如权利要求11所述的反应器,其特征在于,所述结构层为石英,以及所述的一对晶片载盘为碳化硅。

13.如权利要求1所述的反应器,其特征在于,进一步包括:

第一气体室,所述第一气体室被配置成供应处理气体到所述晶片套的内部体积内；以及

第二气体室,所述第二气体室被配置成从所述晶片套的内部体积排出气体；

其中,所述第一气体室和所述第二气体室被配置成提供流经所有所述多块晶片的表面的处理气体。

14.如权利要求13所述的反应器,其特征在于,所述第一气体室被进一步配置成切换到排出气体,以及所述第二气体室被进一步配置成切换到供应处理气体,所述第一气体室和所述第二气体室的切换是协调的。