[发明专利]具有第一和第二开关器件的集成电路、半桥电路及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410403206.9 申请日: 2014-08-15
公开(公告)号: CN104377198A 公开(公告)日: 2015-02-25
发明(设计)人: S·莱奥芒;M·H·菲勒梅耶 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L27/085 分类号: H01L27/085;H01L27/088;H01L21/8232;H01L21/8234
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要: 发明公开了一种具有第一和第二开关器件的集成电路、半桥电路及其制造方法,该集成电路包括第一开关器件以及第二开关器件,第一开关器件包括在半导体部分的第一区段中的第一半导体区域,第二开关器件包括在半导体部分的第二区段中的第二半导体区域。第一和第二区段以及在半导体部分外的第一和第二开关器件的电极结构沿着垂直于半导体部分的第一表面的垂直轴线被布置。
搜索关键词: 具有 第一 第二 开关 器件 集成电路 电路 及其 制造 方法
【主权项】:
一种集成电路,包括:第一开关器件,包括在半导体部分的第一区段中的第一半导体区域;以及第二开关器件,包括在所述半导体部分的第二区段中的第二半导体区域,其中所述第一区段和所述第二区段以及在所述半导体部分外的所述第一开关器件和所述第二开关器件的电极结构沿着垂直于所述半导体部分的第一表面的垂直轴线被布置。
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