[发明专利]阵列基板及制备方法和显示装置在审
申请号: | 201410400960.7 | 申请日: | 2014-08-15 |
公开(公告)号: | CN104218041A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 龙春平;王祖强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及制备方法和显示装置。该阵列基板包括薄膜晶体管以及导电电极,所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层,其中,所述源极和所述漏极同层设置于所述有源层两端、且所述源极和所述漏极直接与所述有源层上方至少部分接触;所述导电电极直接设置于所述漏极的上方。本发明通过阵列基板的层结构的改进,使用台阶式光刻胶工艺在一次构图工艺中完成多个层结构的制备,减少了构图工艺的次数,减少了阵列基板制造工艺过程中的曝光次数;源极和漏极直接与有源层接触,导电电极直接与漏极接触,而无需像现有技术那样需要通过过孔接触,能更好地保证阵列基板的紧凑性,保证阵列基板中各层结构的良好接触。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括薄膜晶体管以及导电电极,所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层,其特征在于,所述源极和所述漏极同层设置于所述有源层两端、且所述源极和所述漏极直接与所述有源层上方至少部分接触;所述导电电极直接设置于所述漏极的上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410400960.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:随身物品的成形方法
- 下一篇:具有架高板鞋底结构的鞋类物品
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的