[发明专利]改善选择性氧化工艺中氧化物生长速率的方法

摘要

公开改善选择性氧化工艺中氧化物生长速率的方法。作为一个实施方式，提供一种选择性氧化合成衬底的材料的方法，包括：将该合成衬底设置在处理室中；将气体混合物引入到该处理室，该气体混合物包括含氧气体和体积百分比大于65％的含氢气体；将该处理室加压到250托至800托之间的压力；以及用预定的时间将该处理室加热至预定的温度，以使含氢气体和含氧气体在该处理室内反应，并选择性氧化该合成衬底。通过本发明的方法，能够利用原位产生的蒸汽有效地仅氧化半导体器件叠层中的含硅层，而不会使阻挡或导电层的性能退化。

主权项

一种处理衬底的方法，包括：将具有至少含硅层和金属层的衬底放置在处理室中；将富氢气体混合物引入到所述处理室，所述富氢气体混合物包括至少65％的氢气；将所述处理室加压到大于450托的压力；以及使所述富氢气体混合物在所述处理室内反应以产生蒸汽，并选择性氧化所述含硅层。