[发明专利]半导体装置和用于制造该半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201410385691.1 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104347720A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | O.布兰克;M.珀尔兹尔;M.H.菲勒迈尔;A.伍德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。本发明涉及半导体装置，该半导体装置具有：具有第一表面的半导体本体；第一沟槽中的IGFET的具有多晶硅的栅电极结构，所述第一沟槽从所述第一表面延伸到所述半导体本体中；以及第二沟槽中的与IGFET的栅电极结构不同并且具有多晶硅的半导体元件，所述第二沟槽从所述第一表面延伸到所述半导体本体中；其中IGFET和与该IGFET不同的半导体元件的多晶硅终结于与所述半导体本体的第一表面邻接的绝缘层的上侧之下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
半导体装置（10），具有：具有第一表面（14）的半导体本体（12），第一沟槽（28）中的IGFET（22）的具有多晶硅（32）的栅电极结构（20），所述第一沟槽从所述第一表面（14）延伸到所述半导体本体（12）中，以及第二沟槽（30）中的与IGFET（22）的栅电极结构（20）不同并且具有多晶硅（32）的半导体元件（26），所述第二沟槽从所述第一表面（14）延伸到所述半导体本体（12）中，其中IGFET（22）和与所述IGFET（22）不同的半导体元件（26）的多晶硅（32）终结于与所述半导体本体（12）的第一表面（14）邻接的绝缘层（36）的上侧（34）之下。
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