[发明专利]晶圆缺陷尺寸校正方法有效
| 申请号： | 201410377368.X | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104103543B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/68 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;林彦之<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆缺陷尺寸校正方法，利用缺陷观察设备观察、量取缺陷尺寸比较准确的优点，在缺陷观察设备对选取的若干缺陷的尺寸进行量取后，与缺陷检测设备建立联动，并建立相应的缺陷校正关系，自动校正缺陷检测设备对缺陷尺寸定义的准确性，使得由缺陷检测设备测得的缺陷尺寸分布的准确性大大提高，同时又缩短了全部通过缺陷观察设备量取尺寸的大量时间，有利于大量工程数据的分析，在没有进行缺陷形貌分析前，就可以对晶圆上的缺陷尺寸分布有较好的掌握。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 尺寸 校正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆缺陷尺寸校正方法，其特征在于，其包括以下步骤：/n步骤S01，提供一待检测晶圆；/n步骤S02，通过缺陷检测设备，对该晶圆的需检测区域进行缺陷检测，并选取若干检测到的缺陷，量取得到该选取的若干缺陷的第一尺寸，其中，所述缺陷检测设备为光学缺陷检测设备；/n步骤S03，通过缺陷观察设备，对该需检测区域进行缺陷形貌观察，并量取得到该选取的若干缺陷的第二尺寸，其中，所述缺陷观察设备为扫描电镜；且所述第二尺寸和第一尺寸为同一方向上的尺寸；/n步骤S04，以该第二尺寸为基准，得到该若干缺陷的第一尺寸的校正值；/n步骤S05，将该校正值应用于该缺陷检测设备检测该晶圆或其他晶圆得到的缺陷尺寸中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
