[发明专利]一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法有效
| 申请号： | 201410375368.6 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104103499B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 马林宝 | 申请（专利权）人： | 南京国盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;C30B25/16 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 张苏沛 |
| 地址： | 211111 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法，其步骤为选择合适的腐蚀流量和腐蚀时间，减小腐蚀杂质在外延反应器的浓度，以减小外延生长时的自掺杂。第一层外延生长在高浓度的衬底表面生长一层纯度外延层，对衬底片表面和边缘进行包封，控制其生长温度、生长速率和外延时间，以使包封层达到理想效果，同时必须考虑低温淀积以减少自掺杂杂质的蒸汽压和固态扩散速率；选择合适的外延条件，使外延片的形变最小。第二层外延生长生长一层电阻率和厚度符合器件要求的外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 管用 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法，采用单片外延炉生长功率肖特基管用外延片，其特征在于：气体腐蚀条件的选择：腐蚀温度1130℃，腐蚀的时间4分钟和HCl流量15L/min的确定；第一层外延生长：在高浓度的衬底表面生长一层纯度外延层，对衬底片表面和边缘进行包封，控制其生长温度、生长速率和外延时间，以使包封层达到理想效果，同时必须考虑低温淀积以减少自掺杂杂质的蒸汽压和固态扩散速率；选择合适的外延条件，保证外延片表面的平整度和过渡区分布；第二层外延生长：生长一层电阻率和厚度符合器件要求的外延层；合适的外延条件为第一层外延生长时生长温度1090℃，淀积速率为0.5～0.8μm/min ，掺杂流量为0 L/min；第二层外延生长时生长温度1130℃，淀积速率为1～1.2μm/min ，掺杂流量为15～35L/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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