[发明专利]具备全角反射镜的发光二极管芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201410374193.7 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104269483A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 周武;胡根水 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具备全角反射镜的发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供一外延片，外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的PSS、外延层；在外延片的正面形成划片道，外延片的正面为外延片的与蓝宝石衬底相反的一侧的表面，划片道的深度等于划片道处的外延层的厚度与PSS的厚度之和；在外延片上制备电流阻挡层、电流扩展层和电极，并减薄外延片；在外延片的背面蒸镀ODR，外延片的背面为蓝宝石衬底未生长PSS的表面；从外延片的正面沿着划片道进行激光划片；对外延片进行裂片加工，得到LED芯片。本发明解决了外延片极易破碎、外延片直接报废、为制造商带来成本损失的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 全角 反射 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具备全角反射镜ODR的发光二极管LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的图形化蓝宝石衬底PSS、外延层，所述外延层包括依次层叠在所述PSS上的N型层、有源层和P型层，所述外延层上开设有从所述P型层延伸到所述N型层的凹槽；在所述外延片的正面形成划片道，所述外延片的正面为所述外延片的与所述蓝宝石衬底相反的一侧的表面，所述划片道的深度等于所述划片道处的所述外延层的厚度与所述PSS的厚度之和；在所述外延片上制备电流阻挡层、电流扩展层和电极，并减薄所述外延片；在所述外延片的背面蒸镀ODR，所述外延片的背面为所述蓝宝石衬底未生长所述PSS的表面；从所述外延片的正面沿着所述划片道进行激光划片；对所述外延片进行裂片加工，得到LED芯片。
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