[发明专利]氮化镓系二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410369784.5 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104347733A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 竹谷元伸;李康宁 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;胡江海 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开氮化镓系二极管及其制造方法，本发明的氮化镓系二极管包括：本征氮化镓系半导体层；第一导电型氮化镓系半导体层，与所述本征氮化镓系半导体层接合；第一电极，位于所述本征氮化镓系半导体层的与所述第一导电型氮化镓系半导体层的接合面的相反面；第二电极，位于所述第一导电型氮化镓系半导体层的与所述本征氮化镓系半导体层的接合面的相反面；以及第二导电型耐压层，形成于与所述第一电极的边缘相接的所述本征氮化镓系半导体层的局部区域。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓系二极管，包括：本征氮化镓系半导体层；第一导电型氮化镓系半导体层，与所述本征氮化镓系半导体层接合；第一电极，位于所述本征氮化镓系半导体层的与第一导电型氮化镓系半导体层的接合面的相反面；第二电极，位于所述第一导电型氮化镓系半导体层的与所述本征氮化镓系半导体层的接合面的相反面；以及第二导电型耐压层，形成于与所述第一电极的边缘相接的所述本征氮化镓系半导体层的局部区域。
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