[发明专利]一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。该方法利用溅射工艺生长一层掺镍的氧化锌半导体材料层作为薄膜晶体管的导电沟道层，通过调节掺镍的氧化锌靶材的组分，控制溅射氧气分压，可以改善薄膜晶体管的开关比、亚阈摆幅、阈值电压以及迁移率等特性。本发明具有制作成本低，低温工艺，可适用于透明显示和柔性显示技术等优点。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：1)在玻璃或者塑料衬底上淀积一层透明导电薄膜材料，光刻、刻蚀出栅电极；2)接着生长一层绝缘材料作栅介质层，光刻、刻蚀出栅介质；3)然后利用溅射工艺生长一层氧化锌半导体材料层，溅射使用的靶材为掺镍的氧化锌陶瓷靶，镍的含量为2％‑10％，溅射过程中控制氧气分压为2‑20％，光刻、刻蚀出半导体沟道结构；4)再淀积一层透明导电薄膜材料，光刻、刻蚀出源、漏电极；5)接着生长一层钝化介质层，光刻、刻蚀形成栅、源和漏的引出孔；6)最后生长一层金属薄膜，光刻、刻蚀形成金属电极和互连。