[发明专利]MEMS麦克风及其制备方法与电子设备在审

专利信息
申请号: 201410344849.0 申请日: 2014-07-18
公开(公告)号: CN104113810A 公开(公告)日: 2014-10-22
发明(设计)人: 孟珍奎 申请(专利权)人: 瑞声声学科技(深圳)有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057 广东省深圳市南山区高*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种MEMS麦克风及其制备方法以及应用所述MEMS麦克风的电子设备。所述MEMS麦克风包括电连接的MEMS芯片和ASIC芯片,所述MEMS芯片包括振膜、第一背板和第二背板,所述振膜设置在所述第一背板和所述第二背板之间,所述第一背板和所述第二背板分别包括多个声学通孔,所述振膜为不包括声学通孔的麦克风振膜,所述振膜与所述第一背板形成第一电容结构,所述振膜与所述第二背板形成第二电容结构,所述第一电容结构和所述第二电容结构以差分形式与ASIC芯片电性连接。本发明的所述MEMS麦克风及电子设备具备高信噪比和高声压性能,其制作方法流程简单,工艺成本低,易于批量化生产。
搜索关键词: mems 麦克风 及其 制备 方法 电子设备
【主权项】:
一种MEMS麦克风,其包括MEMS芯片和ASIC芯片,所述MEMS芯片和ASIC芯片电连接,其特征在于,所述MEMS芯片包括振膜、第一背板和第二背板,所述振膜设置在所述第一背板和所述第二背板之间,所述第一背板和所述第二背板分别包括多个声学通孔,所述振膜为不包括声学通孔的麦克风振膜,所述振膜与所述第一背板形成第一电容结构,所述振膜与所述第二背板形成第二电容结构,所述第一电容结构和所述第二电容结构以差分形式与ASIC芯片电性连接。
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