[发明专利]一种MEMS横向加速度敏感芯片及其制造工艺有效
| 申请号： | 201410340386.0 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN105277741B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 于连忠;矣雷阳;孙晨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院地质与地球物理研究所 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 林建军 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种MEMS横向加速度敏感芯片，包括框架，设置在所述框架内的质量块，以及用于连接所述框架及所述质量块的弹性梁，所述质量块上形成有多个凹陷部及第一连接部，所述框架上形成有第二连接部，所述弹性梁连接所述第一连接部和第二连接部；所述凹陷部上方设置有多组梳齿结构；每组所述梳齿结构包括从所述第一连接部延伸出的活动梳齿以及从所述第二连接部延伸出的固定梳齿；所述活动梳齿与所述固定梳齿之间形成有活动间隙，所述活动间隙形成差分检测电容，本横向加速度敏感芯片有机结合了平板式和梳齿式加速度计的优点，实现同时具有大质量块，大电容，低阻尼，高灵敏度横向加速度计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 横向 加速度 敏感 芯片 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS横向加速度敏感芯片，包括框架，设置在所述框架内的质量块，以及用于连接所述框架及所述质量块的弹性梁，其特征在于，所述质量块上形成有多个凹陷部及第一连接部，所述框架上形成有第二连接部，所述弹性梁连接所述第一连接部和第二连接部；所述凹陷部上方设置有多组梳齿结构；每组所述梳齿结构包括从所述第一连接部延伸出的活动梳齿以及从所述第二连接部延伸出的固定梳齿，所述活动梳齿与所述固定梳齿之间形成有活动间隙，所述活动间隙形成差分检测电容；所述第一连接部、第二连接部、弹性梁以及所述梳齿结构形成于第一硅层内，所述框架及所述质量块形成于第二硅层内，所述第一硅层与第二硅层之间间隔有二氧化硅层。
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