[发明专利]高迁移率功率金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410340007.8 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104064475B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 德瓦.帕塔纳亚克;K-I.陈;T-T.朝 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/04;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 丁艺 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及沟槽MOSFET和形成沟槽MOSFET的方法。高迁移率的P‑沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管。根据本发明的一种实施例，功率MOSFET被制作成使空穴在沿着(110)晶面或其等价面的反转/累积沟道中流动，当相对于源极施加负电压到栅极时，电流沿[110]方向或其等价方向。增强的空穴沟道迁移率导致导通电阻的沟道部分减小，因此，有利地减少了装置的全“导通”电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 迁移率 功率 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种形成沟槽MOSFET的方法，包括：得到包括沿选自由[110]、[111]、[112]和[001]组成的组的方向的表面方向的底面和顶面的硅晶片；使用硅晶片形成漂移区和本体区，其中所述漂移区位于所述本体区和所述硅晶片的水平部分之间；在所述晶片的(110)平面中通过所述本体区和部分通过所述漂移区蚀刻矩形沟槽；邻近并平行于所述矩形沟槽的第一侧壁并在所述本体区和所述矩形沟槽外部形成第一源极区；邻近并平行于所述矩形沟槽的第二侧壁并在所述本体区和所述矩形沟槽外部形成第二源极区，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁在所述矩形沟槽的相对侧；在所述第一和第二源极区之间并在所述矩形沟槽内部形成栅极结构；并且在所述硅晶片的所述底面形成漏极区，其中所述硅晶片的水平部分位于所述漂移区和所述漏极区之间，其中所述漏极区，和所述第一源极区和所述第二源极区中的至少一个，被配置成在[110]方向中提供电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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