[发明专利]一种对称的MEMS加速度敏感芯片及其制造工艺有效
| 申请号： | 201410340002.5 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN105445495B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 于连忠;孙晨;矣雷阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院地质与地球物理研究所 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 林建军 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种对称的MEMS加速度敏感芯片，所述加速度敏感芯片包括上半部及下半部，所述上半部与所述下半部键合后形成框架整体以及设置在所述框架内的质量块整体；所述框架整体及所述质量块整体之间通过弹性梁相连接，所述质量块整体的上下两端分别形成有多个凹陷部及第一连接部，所述框架整体的上下两端分别形成有第二连接部；所述弹性梁连接所述第一连接部和第二连接部；所述凹陷部上方设置有多组梳齿结构；每组梳齿结构包括从所述第一连接部延伸出的活动梳齿以及从第二连接部延伸出的固定梳齿，所述活动梳齿与所述固定梳齿之间形成差分检测电容。本加速度敏感芯片实现同时具有高对称性，大质量块，大电容，低阻尼的高灵敏度加速度计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 mems 加速度 敏感 芯片 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种对称的MEMS加速度敏感芯片，其特征在于，所述加速度敏感芯片包括上半部及下半部，所述上半部与所述下半部键合后形成：框架整体以及设置在所述框架内的质量块整体；所述框架整体及所述质量块整体之间通过弹性梁相连接，所述质量块整体的上下两端分别形成有多个凹陷部及第一连接部，所述框架整体的上下两端分别形成有第二连接部；所述弹性梁连接所述第一连接部和第二连接部；所述凹陷部上方设置有多组梳齿结构；每组梳齿结构包括从所述第一连接部延伸出的活动梳齿以及从所述第二连接部延伸出的固定梳齿，所述活动梳齿与所述固定梳齿之间形成有活动间隙，所述活动间隙形成差分检测电容；所述加速度敏感芯片的每个半部中形成有第一硅层、第二硅层；其中，所述第一连接部、第二连接部、弹性梁以及所述梳齿结构形成于第一硅层内；所述框架及所述质量块形成于第二硅层内，所述第一硅层与第二硅层之间间隔有二氧化硅层。
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