[发明专利]功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410337329.7 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104659087A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 宋寅赫;朴在勋;徐东秀;张昌洙 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件及其制造方法。一种功率半导体器件可以包括：基板，包括第一导电型漂移层；第二导电型半导体基板，设置在所述基板的另一个表面上；第一导电型扩散层，设置在基板中并且杂质浓度高于漂移层的杂质浓度；第二导电型阱层，设置在所述基板的一个表面内；沟槽，从包括阱层的所述基板的一个表面形成，以便在深度方向上穿透扩散层；第一绝缘膜，设置在所述基板的表面上；以及第一电极，设置在沟槽中。扩散层在横向上的杂质掺杂浓度的峰值点位于接触沟槽侧面的区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，包括：基板，具有一个表面和与所述一个表面相对的另一个表面并且包括第一导电型漂移层；第二导电型半导体基板，设置在所述基板的所述另一个表面上；第一导电型扩散层，设置在所述基板中并且杂质浓度高于所述漂移层的杂质浓度；第二导电型阱层，设置在所述基板的所述一个表面下方；沟槽，从包括所述阱层的所述基板的所述一个表面形成，以在第一方向上穿透所述扩散层；绝缘膜，设置在包括所述沟槽的内壁的所述基板的所述一个表面上；以及第一电极，设置在所述沟槽中，其中，所述扩散层在垂直于所述第一方向的第二方向上的杂质掺杂浓度的峰值点位于接触所述沟槽的侧面的区域中。
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