[发明专利]一种阻氚镀层及其制备方法有效
| 申请号： | 201410332700.0 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104070718A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 朱生发;吴艳萍;刘天伟;唐凯;魏强;肖红;蒋驰;饶永初 | 申请（专利权）人： | 四川材料与工艺研究所 |
| 主分类号： | B32B9/04 | 分类号： | B32B9/04;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 卿诚;吴彦峰 |
| 地址： | 621700 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻氚镀层及其制备方法，目的在于解决目前研究的阻氚镀层的氚渗透降低系数(PRF)都远小于理论值，阻氚效果较差的的问题。其包括基体、设置在基体上的多层膜，多层膜由Er2O3镀层、SiC镀层交替沉积而成。本发明采用Er2O3和SiC两种镀层复合，形成含有多层结构的阻氚镀层，且该阻氚镀层同时引入了C－、O－、Si－等氢捕获键，能够有效改善基体的阻氚性能；同时本发明在Er2O3和SiC镀层之间形成界面，降低了阻氚镀层贯穿性的空洞和缺陷的出现几率，提高了镀层整体的致密度，减少氚渗透通道；Er2O3和SiC镀层之间形成的界面，能有效改善镀层的阻氚性能。本发明为核能领域提供了一种减少乃至阻止氚渗透的新途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镀层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻氚镀层，其特征在于，包括基体、设置在基体上的多层膜，所述多层膜由Er2O3镀层、SiC镀层交替沉积而成，单层的Er2O3镀层的厚度为10～150nm，单层的SiC镀层的厚度为10～150nm，所述多层膜的厚度为0.1μm～5μm，所述多层膜中的最底层为Er2O3镀层，所述多层膜通过最底层的Er2O3镀层沉积在基体上。
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