[发明专利]一种阻氚镀层及其制备方法

权利要求书

1.一种阻氚镀层，其特征在于，包括基体、设置在基体上的多层膜，所述多层膜由Er₂O₃镀层、SiC镀层交替沉积而成，单层的Er₂O₃镀层的厚度为10～150nm，单层的SiC镀层的厚度为10～150nm，所述多层膜的厚度为0.1μm～5μm，所述多层膜中的最底层为Er₂O₃镀层，所述多层膜通过最底层的Er₂O₃镀层沉积在基体上。

2.根据权利要求1所述阻氚镀层，其特征在于，所述Er₂O₃镀层的层数与SiC镀层的层数之和至少为3层。

3.根据权利要求1所述阻氚镀层，其特征在于，所述Er₂O₃镀层以陶瓷Er₂O₃为磁控靶，采用射频磁控溅射沉积而成；所述SiC镀层以陶瓷SiC为磁控靶，采用射频磁控溅射沉积而成。

4.根据权利要求1-3任一项所述阻氚镀层，其特征在于，还包括沉积在基体上的Er镀层，所述多层膜通过Er₂O₃镀层沉积在Er镀层上，所述多层膜中最底层的Er₂O₃镀层通过Er镀层与基体相连。

5.根据权利要求4所述阻氚镀层，其特征在于，所述Er镀层以金属Er为磁控靶，采用磁控溅射沉积而成。

6.根据权利要求1-3任一项所述阻氚镀层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）预处理：采用离子轰击将基体表面清洗干净，备用；

（2）沉积Er₂O₃镀层：采用射频磁控溅射在基体表面沉积10～150nm 厚的Er₂O₃镀层，其中，射频磁控溅射的偏压为-50～-400V，射频磁控溅射的气压0.1～20Pa；

（3）沉积SiC镀层：采用射频磁控溅射在Er₂O₃镀层表面沉积10～150nm 厚的SiC镀层，其中，射频磁控溅射的偏压为-50～-400V，射频磁控溅射的气压0.1～20Pa；

（4）依次重复步骤2、3，使Er₂O₃镀层、SiC镀层交替沉积而成的多层膜的厚度为0.1μm～5μm，即可。

7.根据权利要求1-6任一项所述阻氚镀层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）预处理：采用离子轰击将基体表面清洗干净，备用；

（2）沉积过渡层：采用磁控溅射在步骤1清洗后的基体表面沉积金属Er，形成金属Er膜，即Er镀层；

（3）沉积Er₂O₃镀层：采用射频磁控溅射在Er镀层表面沉积10～150nm 厚的Er₂O₃镀层，其中，射频磁控溅射的偏压为-50～-400V，射频磁控溅射的气压0.1～20Pa；

（4）沉积SiC镀层：采用射频磁控溅射在Er₂O₃镀层表面沉积10～150nm 厚的SiC镀层，其中，射频磁控溅射的偏压为-50～-400V，射频磁控溅射的气压0.1～20Pa；

（5）依次重复步骤3、4，使Er₂O₃镀层、SiC镀层交替沉积而成的多层膜的厚度为0.1μm～5μm，即可。

8.根据权利要求6或7所述阻氚镀层的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，通Ar气，采用辉光放电产生Ar离子轰击基体表面对基体表面进行清洗，至基体表面清洗干净，其中，偏压－500～－1000V，真空1.0～3.0Pa。