[发明专利]包含整合于波导上的光侦测器的半导体设备及其制造方法

摘要

本发明涉及包含整合于波导上的光侦测器的半导体设备及其制造方法，也就是提供一种半导体设备及用于制造半导体设备的方法。在一个实施例中，用于制造半导体设备的方法包括在半导体基底的侦测器区域中蚀刻波导层以形成凹陷式波导层区段。脊部结构锗(Ge)光侦测器覆于凹陷式波导层区段的一部分上而形成。

主权项

一种用于制造半导体设备的方法，该方法包含：在半导体基底的侦测器区域中蚀刻波导层，以形成凹陷式波导层区段；以及形成覆于该凹陷式波导层区段的一部分上的脊部结构锗Ge光侦测器。