[发明专利]薄膜晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201410324134.9 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104282768A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 安东靖典 | 申请（专利权）人： | 日新电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为薄膜晶体管的制作方法，其课题在于当进行自对准工序中的准分子激光照射时，防止构成薄膜晶体管的膜的温度过大地上升。此制作方法中，从基板2侧对于如下的构造体14a照射准分子激光16，构造体14a是在使准分子激光16透过的基板2上形成有防扩散膜4、在防扩散膜4上形成有栅极电极6及栅极绝缘膜8、在栅极绝缘膜8上形成有氧化物半导体层10的构造体，使用栅极电极6作为掩模，对于氧化物半导体层10的与栅极电极6对应的区域的两外侧的区域照射准分子激光16而进行低电阻化处理，使两外侧的区域中的一者成为源极区域18，使另一者成为漏极区域19。防扩散膜4包含在氮化硅膜中含氟的氟化氮化硅膜(SiN:F)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，对于如下的构造体，从基板侧照射准分子激光，所述构造体是在使所述准分子激光透过的所述基板上形成有防止来自所述基板的杂质扩散的防扩散膜、在所述防扩散膜上形成有栅极电极及覆盖所述栅极电极的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上形成有氧化物半导体层的构造体，使用所述栅极电极作为掩模，对所述氧化物半导体层的与所述栅极电极对应的区域的两外侧的区域照射所述准分子激光，而对所述两外侧的区域进行低电阻化处理，使所述两外侧的区域中的一者成为源极区域，使另一者成为漏极区域；所述薄膜晶体管的制作方法的特征在于：所述防扩散膜包含在氮化硅膜中含氟的氟化氮化硅膜。
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