[发明专利]离子束蚀刻系统

摘要

本发明涉及离子束蚀刻系统，具体而言，公开的实施例涉及用于从衬底去除材料的方法和装置。在各种实施方案中，从半导体衬底上的诸如沟槽、孔或柱等先前的蚀刻特征的侧壁上去除导电材料。在实施本文中的技术时，衬底设置在反应腔室中，反应腔室被成波纹状的离子提取板分隔成上方等离子体产生腔室和下方处理腔室，孔隙贯通所述离子提取板。提取板呈波纹状，使得等离子体鞘遵循提取板的形状，使得离子以相对于衬底成角度地进入下方处理腔室。如此，在处理期间，离子能够穿透进入先前蚀刻的特征并且在这些特征的侧壁上撞击衬底。通过该机制，可以去除特征的侧壁上的材料。

主权项

一种用于从半导体器件结构中的特征的侧壁去除材料的方法，所述方法包括：(a)在反应腔室中接收衬底，其中所述反应腔室被离子提取板分隔成等离子体产生子腔室和处理子腔室，其中所述离子提取板至少部分地成波纹状且具有孔隙，所述孔隙设计或构造为以相对于所述衬底的多个角度引导离子通过其中；(b)使等离子体产生气体流入所述等离子体产生子腔室并且在所述等离子体子腔室中产生等离子体；以及(c)使来自所述等离子体产生子腔室的离子加速、通过所述离子提取板、且以多个角度朝向所述衬底进入所述处理子腔室，从而从朝向多个方向的特征侧壁去除材料。