[发明专利]晶圆级封装红外探测器及其制备方法在审
申请号: | 201410321574.9 | 申请日: | 2014-07-08 |
公开(公告)号: | CN104157719A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 孟如男;钱良山;姜利军 | 申请(专利权)人: | 浙江大立科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 310053 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆级封装红外探测器及其制备方法,所述晶圆级封装红外探测器包括聚光基板和探测器基板,所述聚光基板与所述探测器基板通过一焊料层连接,所述聚光基板允许红外光穿过并将红外光汇聚在探测器基板上。本发明优点是,将常规红外探测器封装中的光学窗口和红外透镜简并成一体,在一块聚光基板上实现两者功能,该封装方式具有结构紧凑,成本低的优势;采用双面抗反射设计提高红外抗反射性能,器件性能也能极大提升;实现晶圆级封装,降低封装成本,从而降低红外探测器制作成本。 | ||
搜索关键词: | 晶圆级 封装 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆级封装红外探测器,其特征在于,包括聚光基板和探测器基板,所述聚光基板与所述探测器基板通过一焊料层连接,所述聚光基板允许红外光穿过并将红外光汇聚在探测器基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的