[发明专利]一种基于化学气相沉积制备表面拉曼增强活性基底的方法有效
| 申请号： | 201410321419.7 | 申请日： | 2014-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN104132921A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 张璋;刘利伟;高兴森 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 510631 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种基于化学气相沉积制备表面拉曼增强活性基底的方法，所述方法包括：在硅片表面热蒸镀一层银薄膜；将蒸镀银纳米薄膜后的硅片放入化学气相沉积CVD反应腔中加热至预置温度，使所述银薄膜“固态脱湿”以形成银纳米颗粒；在所述预置温度下通入反应气体，使所述银纳米颗粒表面均匀生长一层硅薄膜，形成核壳纳米球状阵列结构；将形成核壳纳米球状阵列结构的硅片于所述CVD反应腔中取出，在所述核壳纳米球状阵列结构的表面再热蒸镀预置厚度的银膜，即得到表面拉曼增强活性基底。本发明实施例使制备的活性衬底具有极高的SERS增强和灵敏度，制备工艺简单，重复性好，可大面积制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 化学 沉积 制备 表面 增强 活性 基底 方法 | ||
【主权项】：
一种基于化学气相沉积制备表面拉曼增强活性基底的方法，其特征在于，所述基于化学气相沉积制备表面拉曼增强活性基底的方法包括：在硅片表面热蒸镀一层银薄膜；将蒸镀银纳米薄膜后的硅片放入化学气相沉积CVD反应腔中加热至预置温度，使所述银薄膜固态脱湿以形成银纳米颗粒；在所述预置温度下通入反应气体，使所述银纳米颗粒表面均匀生长一层硅薄膜，形成核壳纳米球状阵列结构；将形成核壳纳米球状阵列结构的硅片于所述CVD反应腔中取出，在所述核壳纳米球状阵列结构的表面再热蒸镀预置厚度的银膜，即得到表面拉曼增强活性基底。
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