[发明专利]形成具有外延隔离部件的图像传感器器件的结构有效

专利信息
申请号: 201410319891.7 申请日: 2014-07-07
公开(公告)号: CN104659042B 公开(公告)日: 2018-11-27
发明(设计)人: 许文义;洪丰基;莊俊杰;杨敦年;刘人诚 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供了形成具有外延隔离部件的图像传感器器件的结构。提供了形成图像传感器器件的结构的实施例。图像传感器器件包括具有正面和背面的衬底。图像传感器还包括形成在衬底中的辐射感测区域。辐射感测区域可用于感测通过背面进入衬底的入射光。辐射感测区域进一步包括形成在衬底中并且邻近于辐射感测区域的外延隔离部件。辐射感测区域和外延隔离部件具有不同的掺杂极性。
搜索关键词: 形成 具有 外延 隔离 部件 图像传感器 器件 结构
【主权项】:
1.一种图像传感器器件,包括:衬底,具有正面和背面;辐射感测区域,形成在所述衬底中,其中,所述辐射感测区域可用于感测通过所述背面进入所述衬底的入射光;以及外延隔离部件,形成在所述衬底中并且邻近于所述辐射感测区域,所述辐射感测区域和所述外延隔离部件具有不同的掺杂极性,所述外延隔离部件的底面低于所述辐射感测区域的底面;其中,所述衬底与所述辐射感测区域具有相同的掺杂极性。
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