[发明专利]形成具有外延隔离部件的图像传感器器件的结构有效
申请号: | 201410319891.7 | 申请日: | 2014-07-07 |
公开(公告)号: | CN104659042B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 许文义;洪丰基;莊俊杰;杨敦年;刘人诚 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了形成具有外延隔离部件的图像传感器器件的结构。提供了形成图像传感器器件的结构的实施例。图像传感器器件包括具有正面和背面的衬底。图像传感器还包括形成在衬底中的辐射感测区域。辐射感测区域可用于感测通过背面进入衬底的入射光。辐射感测区域进一步包括形成在衬底中并且邻近于辐射感测区域的外延隔离部件。辐射感测区域和外延隔离部件具有不同的掺杂极性。 | ||
搜索关键词: | 形成 具有 外延 隔离 部件 图像传感器 器件 结构 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器器件,包括:衬底,具有正面和背面;辐射感测区域,形成在所述衬底中,其中,所述辐射感测区域可用于感测通过所述背面进入所述衬底的入射光;以及外延隔离部件,形成在所述衬底中并且邻近于所述辐射感测区域,所述辐射感测区域和所述外延隔离部件具有不同的掺杂极性,所述外延隔离部件的底面低于所述辐射感测区域的底面;其中,所述衬底与所述辐射感测区域具有相同的掺杂极性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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