[发明专利]半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法无效
| 申请号： | 201410305570.1 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104150624A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 伍松海;刘静 | 申请（专利权）人： | 霖创环保科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C02F9/02 | 分类号： | C02F9/02 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 200237 上海市闵行区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的一种半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法属于半导体制造和工业废水处理技术。该废水回用的处理方法包括如下步骤：S1，通过废水收集箱收集硅片研磨产生的废水；S2，利用水泵将废水泵入多介质过滤器进行第一次过滤；S3，将经过第一次过滤的水送入保安过滤器进行第二次过滤；S4，将经过第二次过滤的水送入超滤膜过滤装置中进行第三次过滤；S5，通过SDI测定仪或者浊度仪测定并判断经过第三次过滤的水是否符合欲先设定的标准要求，如符合标准要求，送入产水箱；如不符合标准的要求，送入废水收集箱重复步骤S1至S4。该方法处理的水可直接利用，且无需添加药剂，系统占地面积小，减轻膜堵塞，使用效果稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 行业 硅片 研磨 废水 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体行业硅片研磨废水回用的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，通过废水收集箱收集硅片研磨产生的废水；S2，利用水泵将废水泵入多介质过滤器进行第一次过滤；S3，将经过第一次过滤的水送入保安过滤器进行第二次过滤，所述的保安过滤器用于保护超滤膜；S4，将经过第二次过滤的水送入超滤膜过滤装置中进行第三次过滤；S5，通过SDI测定仪或者浊度仪测定并判断经过第三次过滤的水是否符合欲先设定的标准要求，如符合标准要求，送入产水箱；如不符合标准的要求，送入废水收集箱重复步骤S1至S4。
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