[发明专利]晶片的干燥方法在审
| 申请号： | 201410297682.7 | 申请日： | 2014-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN104037067A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈昆 | 申请（专利权）人： | 陈昆 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 柳州市集智专利商标事务所 45102 | 代理人： | 韦永青 |
| 地址： | 545600 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片的干燥方法，属于集成电路制造领域。本发明将晶片放入装有浸泡液A燥槽中浸泡，其中所述浸泡液A为流动状态，浸泡液由去离子水与异丙醇溶液按质量比为2：1的比例混合制得；再用浸泡液B置换干燥槽内的浸泡液A，继续浸泡晶片，其中所述浸泡液B为流动状态，所述浸泡液B由异丙醇溶液与氮气蒸汽按质量比为5：1的比例混合制得；接着快速排出干燥槽内浸泡液B，然后通入氮气进行干燥；其中，所述氮气为流动状态。本发明提供了一种晶片的干燥方法，用该方法干燥晶体，晶体表面不会留下任何水痕缺陷或颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 干燥 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片的干燥方法，其特征在包括以下制作步骤：A、将晶片放入装有50℃～55℃浸泡液A燥槽中浸泡20分钟～30分钟；其中，所述浸泡液A为流动状态，浸泡液由去离子水与异丙醇溶液按质量比为2：1的比例混合制得；B、待步骤A晶片浸泡结束后，用50℃～55℃浸泡液B置换干燥槽内的浸泡液A，继续浸泡晶片10钟～20分钟；其中，所述浸泡液B为流动状态，所述浸泡液B由异丙醇溶液与氮气蒸汽按质量比为5：1的比例混合制得；C、待步骤B晶片浸泡结束后，快速排出干燥槽内浸泡液B，然后通入65℃～80℃的氮气进行干燥；其中，所述氮气为流动状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
