[发明专利]晶片的干燥方法

说明书

技术领域

本发明属于集成电路制造领域，尤其涉及一种晶片的干燥方法。

背景技术

在材料加工科学的不断推动下，半导体器件和集成电路制作工艺取得长足进步，发生了巨大的变化。半导体晶体最为有效的清洗方法是湿法清洗工艺，一直未能被取代。然而，随着晶体表面洁净要求的不断提高，清洗工艺的焦点已经逐步由清洗液、超声波等转移到晶体的干燥上。干燥作为湿法清洗的最后一个步骤，最终决定了晶片的表面质量，是清洗工艺的核心所在。在晶片的干燥过程中，不仅要求表面达到脱水效果，还要避免在表面留下任何水痕缺陷或颗粒。

发明内容

本发明提供了一种晶片的干燥方法，用该方法干燥晶体，晶体表面不会留下任何水痕缺陷或颗粒。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：

一种晶片的干燥方法，该方法包括以下步骤：

A、将晶片放入装有50℃～55℃浸泡液A燥槽中浸泡20分钟～30分钟；其中，所述浸泡液A为流动状态，浸泡液由去离子水与异丙醇溶液按质量比为2：1的比例混合制得；

B、待步骤A晶片浸泡结束后，用50℃～55℃浸泡液B置换干燥槽内的浸泡液A，继续浸泡晶片10钟～20分钟；其中，所述浸泡液B为流动状态，所述浸泡液B由异丙醇溶液与氮气蒸汽按质量比为5：1的比例混合制得；

C、待步骤B晶片浸泡结束后，快速排出干燥槽内浸泡液B，然后通入65℃～80℃的氮气进行干燥；其中，所述氮气为流动状态。

具体实施方式

实施例1

一种晶片的干燥方法，该方法包括以下步骤：

A、将晶片放入装有50℃浸泡液A燥槽中浸泡30分钟；其中，所述浸泡液A为流动状态，浸泡液由去离子水与异丙醇溶液按质量比为2：1的比例混合制得；

B、待步骤A晶片浸泡结束后，用50℃浸泡液B置换干燥槽内的浸泡液A，继续浸泡晶片20分钟；其中，所述浸泡液B为流动状态，所述浸泡液B由异丙醇溶液与氮气蒸汽按质量比为5：1的比例混合制得；

C、待步骤B晶片浸泡结束后，快速排出干燥槽内浸泡液B，然后通入80℃的氮气进行干燥；其中，所述氮气为流动状态。

实施例2

一种晶片的干燥方法，该方法包括以下步骤：

A、将晶片放入装有55℃浸泡液A燥槽中浸泡20分钟；其中，所述浸泡液A为流动状态，浸泡液由去离子水与异丙醇溶液按质量比为2：1的比例混合制得；

B、待步骤A晶片浸泡结束后，用55℃浸泡液B置换干燥槽内的浸泡液A，继续浸泡晶片10钟；其中，所述浸泡液B为流动状态，所述浸泡液B由异丙醇溶液与氮气蒸汽按质量比为5：1的比例混合制得；

C、待步骤B晶片浸泡结束后，快速排出干燥槽内浸泡液B，然后通入65℃的氮气进行干燥；其中，所述氮气为流动状态。

实施例3

一种晶片的干燥方法，该方法包括以下步骤：

A、将晶片放入装有52℃浸泡液A燥槽中浸泡25分钟；其中，所述浸泡液A为流动状态，浸泡液由去离子水与异丙醇溶液按质量比为2：1的比例混合制得；

B、待步骤A晶片浸泡结束后，用52℃浸泡液B置换干燥槽内的浸泡液A，继续浸泡晶片15分钟；其中，所述浸泡液B为流动状态，所述浸泡液B由异丙醇溶液与氮气蒸汽按质量比为5：1的比例混合制得；

C、待步骤B晶片浸泡结束后，快速排出干燥槽内浸泡液B，然后通入75℃的氮气进行干燥；其中，所述氮气为流动状态。