[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410294978.3 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104253150B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | G·施密特;M·米勒;F·J·桑托斯罗德里奎兹;D·施罗格尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/45;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。功率半导体器件包括半导体本体，半导体本体具有横向相互相邻的有源区域和高压外围区域，高压外围区域横向围绕有源区域。该器件进一步包括金属化层，在半导体本体的正面上并且连接至有源区域；第一阻挡层，包括高熔点金属或高熔点合金，在有源区域和金属化层之间；以及第二阻挡层，覆盖了外围区域的至少一部分，第二阻挡层包括非晶的半绝缘材料。第一阻挡层和第二阻挡层部分地重叠并且形成重叠区域。重叠区域延伸在有源区域的整个周界之上。也提供了一种用于制造该功率半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，包括：－半导体本体，具有相互横向相邻的有源区域和高压外围区域，所述高压外围区域横向地围绕所述有源区域；－金属化层，在所述半导体本体的正面上并且连接至所述有源区域；－第一阻挡层，包括高熔点金属或高熔点合金，在所述有源区域和所述金属化层之间；以及－第二阻挡层，覆盖所述外围区域的至少一部分，所述第二阻挡层包括非晶的半绝缘材料，－其中所述第一阻挡层和所述第二阻挡层部分地重叠并且形成重叠区域，所述重叠区域延伸在所述有源区域的整个周界之上。
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