[发明专利]半导体纳米线有序阵列分布的制备方法

摘要

一种半导体纳米线有序阵列分布的制备方法，包括：步骤1：将一衬底清洗，获得去除了有机物、重金属、氧化层的抛光衬底；步骤2：在衬底上蒸镀一层厚度可调整的铝层；步骤3：使用阳极氧化法，在铝层上氧化得到多孔的阳极氧化铝模板；步骤4：利用电镀的方法，在多孔的阳极氧化铝模板的孔洞中灌注前驱液，通过控制电镀时间，实现在多孔的阳极氧化铝模板孔洞中的金属点阵列沉积；步骤5：利用溶液将多孔的阳极氧化铝模板湿法腐蚀掉，获得在衬底表面高度有序分布、量子尺寸均匀的金属点阵列；步骤6：以金属点阵列为催化，通过气-液-固的方式，生长需要的半导体纳米线阵列；步骤7：去除半导体纳米线阵列顶端的金属点阵列，完成制备。

主权项

一种半导体纳米线有序阵列分布的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底清洗，获得去除了有机物、重金属、氧化层的抛光衬底；步骤2：在衬底上蒸镀一层厚度可调整的铝层；步骤3：使用阳极氧化法，在铝层上氧化得到多孔的阳极氧化铝模板；步骤4：利用电镀的方法，在多孔的阳极氧化铝模板的孔洞中灌注前驱液，通过控制电镀时间，实现在多孔的阳极氧化铝模板孔洞中的金属点阵列沉积；步骤5：利用溶液将多孔的阳极氧化铝模板湿法腐蚀掉，获得在衬底表面高度有序分布、量子尺寸均匀的金属点阵列；步骤6：以金属点阵列为催化，通过气‑液‑固的方式，生长需要的半导体纳米线阵列；步骤7：去除半导体纳米线阵列顶端的金属点阵列，完成制备。