[发明专利]铒掺杂氟化镥锂晶体生长方法

摘要

一种铒掺杂氟化镥锂晶体生长方法，将ErF₃、LiF、LuF₃粉末通过预处理后，添加少量聚四氟乙烯作为脱氧剂，密封于特制的铂金坩埚中，采用温度梯度法生长出铒掺杂的氟化镥锂激光晶体。本发明可减少晶体生长时因提拉或下降而产生的外部扰动；采用严实密封的铂金坩埚后进行铒掺杂氟化镥锂晶体的生长方法，无需真空、通任何气氛和加压的条件。

主权项

一种铒掺杂氟化镥锂晶体的生长方法，其特征在于该方法包括下列步骤：1)选用纯度大于99.99％的原料LiF、LuF₃和ErF₃，按铒掺杂氟化镥锂晶体的分子式Er_x:LiLu_(1‑x)F₄进行配料并混合，其中x＝0.5～15mol.％，为原料中Er离子占基质中Lu离子的摩尔百分数，选定x值后称量相应的粉末原料；2)将所述的粉末原料混合后在300‑350℃烘干处理4‑6小时后，按每100g原料加0.02g脱氧剂聚四氟乙烯，放入壁厚为0.3‑0.5mm、底部圆锥顶角为35‑45°的铂金坩埚后严实密封，坩埚底部籽晶槽内放置籽晶；3)将所述的坩埚置于温梯炉内，底部通冷却水以防止籽晶融化，升温至温梯炉下方热电偶测量温度为850℃进行化料4‑6小时，炉内温度梯度保持在10‑20℃/cm，然后以2‑10℃/h的速率降温并生长晶体，生长结束后以20‑35℃/h速率冷却至室温。