[发明专利]栅极氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410283556.6 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN105448686B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种栅极氧化层的制作方法及半导体器件的制作方法，本发明采用含有臭氧的溶液对光刻前的栅极氧化层进行处理，臭氧中的氧离子能与栅极氧化层内的硅悬挂键成键，即臭氧中的氧离子作为填充原子填充栅极氧化层的硅悬挂键，使得栅极氧化层致密，避免光刻过程中显影液扩散入其中造成栅极氧化层下的半导体衬底沟道区被腐蚀，从而提高了场效应晶体管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 氧化 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种栅极氧化层的制作方法，其特征在于，包括：提供包括第一区域与第二区域的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一厚度的栅极氧化层；采用含有臭氧的溶液对所述第一厚度的栅极氧化层处理；所述采用含有臭氧的溶液对所述第一厚度的栅极氧化层处理之后，在处理后的栅极氧化层上形成暴露第二区域的栅极氧化层的图案化光刻胶，以所述图案化光刻胶为掩膜去除第二区域的栅极氧化层；去除所述图案化光刻胶，在所述第一区域与第二区域形成第二厚度的栅极氧化层；所述臭氧的浓度范围为1ppm～1000ppm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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