[发明专利]掺杂栅极和源漏极的方法及半导体器件的制备方法

摘要

本申请公开了一种掺杂栅极和源漏极的方法及半导体器件的制备方法。掺杂栅极和源漏极的方法包括：提供形成有预备栅极的衬底；快速热退火处理形成有预备栅极的衬底；在衬底表面上，形成环绕预备栅极设置的抗反射层；对预备栅极进行第一次离子注入，形成过渡栅极；去除抗反射层，对过渡栅极和过渡栅极两侧的衬底进行第二次离子注入，以形成栅极和位于栅极两侧的源极和漏极；其中，抗反射层为固体抗反射层。上述方法中，将快速热退火处理的步骤设定在进行第一次离子注入之前进行，有利于防止预备栅极中晶粒长大、晶粒之间出现较大的缝隙，从而有利于避免所注入的离子穿过缝隙进入衬底，使源漏极出现导通而发生隧穿效应。

主权项

一种掺杂栅极和源漏极的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供形成有预备栅极（20”）的衬底（10）；快速热退火处理所述形成有预备栅极（20”）的衬底（10）；在所述衬底（10）表面上，形成环绕所述预备栅极（20”）设置的抗反射层（30）；对所述预备栅极（20”）进行第一次离子注入，形成过渡栅极（20’）；去除所述抗反射层（30），对所述过渡栅极（20’）和所述过渡栅极（20’）两侧的衬底（10）进行第二次离子注入，以形成所述栅极（20）和位于所述栅极（20）两侧的源极（110）和漏极（120）；其中，所述抗反射层（30）为固体抗反射层。