[发明专利]形成栅极的方法有效
| 申请号： | 201410265004.2 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN105448684B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;黎铭琦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成栅极的方法，包括提供衬底，使衬底具有第一区域以及第二区域；形成伪栅以及层间介质层；形成牺牲层；去除位于第一区域的伪栅，以在第一区域的层间介质层中形成第一开口；在位于第二区域的牺牲层表面、第一区域的层间介质层表面以及第一开口中形成第一金属层；通过化学机械研磨去除部分第一金属层以及部分牺牲层以形成第一栅极。本发明的有益效果在于，在化学机械研磨的过程中使第二区域中的伪栅不被暴露出，减少化学机械研磨过度去除第二区域中的伪栅而形成凹陷的问题，从而伪栅以及层间介质层构成的表面较为平整、高度较为一致，这样有利于减少后续形成栅极时可能发生的桥接问题。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 栅极 方法 | ||
【主权项】：
一种形成栅极的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有用于形成第一器件的第一区域以及第二器件的第二区域；在所述第一区域以及第二区域的衬底上分别形成伪栅；在所述第一区域以及第二区域的衬底上形成层间介质层，并使所述伪栅的表面与所述层间介质层的表面齐平；在位于第二区域的层间介质层以及位于第二区域的伪栅上形成牺牲层；去除位于第一区域的伪栅，以在第一区域的层间介质层中形成第一开口；在位于第二区域的牺牲层表面、第一区域的层间介质层表面以及第一开口中形成第一金属层；通过化学机械研磨去除部分第一金属层，位于所述第一开口中的第一金属层作为第一栅极；在形成所述第一栅极后，去除所述牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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