[发明专利]形成栅极的方法

权利要求书

1.一种形成栅极的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有用于形成第一器件的第一区域以及第二器件的第二区域；

在所述第一区域以及第二区域的衬底上分别形成伪栅；

在所述第一区域以及第二区域的衬底上形成层间介质层，并使所述伪栅的表面与所述层间介质层的表面齐平；

在位于第二区域的层间介质层以及位于第二区域的伪栅上形成牺牲层；

去除位于第一区域的伪栅，以在第一区域的层间介质层中形成第一开口；

在位于第二区域的牺牲层表面、第一区域的层间介质层表面以及第一开口中形成第一金属层；

通过化学机械研磨去除部分第一金属层，位于所述第一开口中的第一金属层作为第一栅极；

在形成所述第一栅极后，去除所述牺牲层。

2.如权利要求1所述的形成栅极的方法，其特征在于，形成牺牲层的步骤包括：形成氧化物或者氮化物材料的牺牲层。

3.如权利要求1所述的形成栅极的方法，其特征在于，形成牺牲层的步骤包括：形成相较于所述层间介质层致密度更高的牺牲层。

4.如权利要求1所述的形成栅极的方法，其特征在于，形成牺牲层的步骤包括：形成厚度在30～80埃范围内的牺牲层。

5.如权利要求1所述的形成栅极的方法，其特征在于，化学机械研磨的步骤包括：所述牺牲层的研磨速率低于所述第一金属层的研磨速率。

6.如权利要求1所述的形成栅极的方法，其特征在于，化学机械研磨的步骤包括：所述牺牲层的研磨速率不大于第一金属层的研磨速率的二十分之一。

7.如权利要求1所述的形成栅极的方法，其特征在于，

形成牺牲层的步骤之后，去除位于第一区域的伪栅的步骤之前，还包括：

在所述牺牲层表面形成硬掩模；去除位于第一区域的硬掩模；

去除位于第一区域的伪栅的步骤包括：以剩余的硬掩模为刻蚀掩模，刻蚀去除所述位于第一区域的伪栅。

8.如权利要求7所述的形成栅极的方法，其特征在于，形成硬掩模的步骤包括，形成氮化钛材料的硬掩模。

9.如权利要求7或8所述的形成栅极的方法，其特征在于，形成硬掩模的步骤包括，形成厚度在50～100埃范围内的硬掩模。

10.如权利要求7或8所述的形成栅极的方法，其特征在于，去除位于第一区域的硬掩模的步骤包括，采用等离子刻蚀的方式去除位于第一区域的硬掩模。

11.如权利要求1所述的形成栅极的方法，其特征在于，形成第一金属层的步骤包括，形成铝材料的第一金属层。

12.如权利要求11所述的形成栅极的方法，其特征在于，形成第一金属层的步骤还包括，在形成铝材料的第一金属层之前，在所述第一开口的底部和侧壁上形成功函数金属层。

13.如权利要求1所述的形成栅极的方法，其特征在于，在所述第一区域以及第二区域的衬底上分别形成伪栅的步骤包括，形成多晶硅材料的伪栅。

14.如权利要求1所述的形成栅极的方法，其特征在于，形成第一栅极的步骤之后，还包括：

去除剩余的牺牲层以暴露出位于第二区域中的伪栅；

去除位于第二区域中的伪栅以在位于第二区域中的层间介质层中形成第二开口；

在所述第二开口中以及层间介质层表面形成第二金属层；

通过化学机械研磨以去除层间介质层表面的第二金属层，位于所述第二开口中的第二金属层作为第二栅极。

15.如权利要求1所述的形成栅极的方法，其特征在于，所述第一区域用于形成PMOS，所述第二区域用于形成NMOS；或者，所述第一区域用于形成NMOS，所述第二区域用于形成PMOS。

16.如权利要求1所述的形成栅极的方法，其特征在于，

通过化学机械研磨去除部分第一金属层的步骤还包括：部分去除所述牺牲层。