[发明专利]一种采用化学浴反应制备ZnS薄膜的方法在审

专利信息
申请号: 201410263895.8 申请日: 2014-06-13
公开(公告)号: CN104018137A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 张宁;张亚飞;余新平;曹惠 申请(专利权)人: 北京四方继保自动化股份有限公司
主分类号: C23C18/00 分类号: C23C18/00
代理公司: 北京金阙华进专利事务所(普通合伙) 11224 代理人: 吴鸿维
地址: 100085 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明是一种采用化学浴反应制备的ZnS薄膜的方法。本方法采用硫酸锌和硫脲分别作为锌源和硫源,以氯化铵为缓冲剂,氨水和联氨为联合络合剂,在50℃~90℃水浴反应5min~30min即可制得ZnS薄膜,薄膜均匀致密,无针孔,透过率高,适合代替CdS用作CIGS薄膜太阳能电池的缓冲层。此方法不仅设备简单,操作方便,工艺重复性好,而且反应速度快,制得的ZnS薄膜均匀致密、透过率高,厚度可控,克服了其他制备方法所需设备昂贵且反应时间长等缺点,显著降低生产成本,提高生产效率,非常适合大规模工业化生产。
搜索关键词: 一种 采用 化学 反应 制备 zns 薄膜 方法
【主权项】:
一种采用化学浴反应制备ZnS薄膜的方法,其特征在于:所述方法采用硫酸锌和硫脲分别作为锌源和硫源,以氯化铵为缓冲剂,氨水和联氨为联合络合剂,制得ZnS薄膜。
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