[发明专利]一种采用化学浴反应制备ZnS薄膜的方法

权利要求书

1.一种采用化学浴反应制备ZnS薄膜的方法，其特征在于：所述方法采用硫酸锌和硫脲分别作为锌源和硫源，以氯化铵为缓冲剂，氨水和联氨为联合络合剂，制得ZnS薄膜。

2.根据权利要求1所述的采用化学浴反应制备ZnS薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)分别称取一定量的硫酸锌、硫脲和氯化铵，加入适量去离子水溶解得到三种溶液；

(2)首先将硫酸锌和氯化铵溶液倒入烧杯中并搅拌均匀，然后加入一定体积的浓氨水和联氨并搅拌均匀，最后加入硫脲溶液和去离子水定容后搅拌均匀；

(3)将已清洗干净的基片用夹具夹持，竖直放入反应容器内，将配制好的反应溶液加入反应容器内；

(4)将反应容器放入已达设定温度的水浴锅内，并立即开始搅拌，搅拌停止后可继续维持水浴反应至设定时间，水浴反应结束；

(5)将基片从反应容器中取出，用去离子水冲洗，然后吹干。

3.根据权利要求2所述的采用化学浴反应制备ZnS薄膜的方法，其特征在于：

在步骤(2)中，配制反应溶液时，各组分的添加具有一定的顺序，即：首先将硫酸锌和氯化铵溶液倒入烧杯中并搅拌均匀，然后加入一定体积的浓氨水和联氨并搅拌均匀，最后加入硫脲溶液和去离子水定容后搅拌均匀。

4.根据权利要求2所述的采用化学浴反应制备ZnS薄膜的方法，其特征在于：

在步骤(2)中，优选反应溶液中各组分的浓度为：硫酸锌：0.005～0.3mol/L，氯化铵：0.005～0.1mol/L，硫脲：0.05～2mol/L，氨水：0.1～3mol/L，联氨：0.1～2mol/L。

5.根据权利要求2所述的采用化学浴反应制备ZnS薄膜的方法，其特征在于：

在步骤(4)中，优选基片温度即水浴锅的设定温度为50℃～90℃，搅拌时间1min～30min，水浴反应时间为5min～30min。

6.根据权利要求2所述的采用化学浴反应制备ZnS薄膜的方法，其特征在于：

在整个反应过程中基片保持竖直放置。