[发明专利]发光器件、发光器件封装、发光器件的制造方法及照明系统有效
申请号: | 201410260976.2 | 申请日: | 2011-02-18 |
公开(公告)号: | CN104112757B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 丁焕熙;李尚烈;宋俊午;崔光基 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 周燕,夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种发光器件、发光器件封装、发光器件的制造方法及照明系统。根据实施例的发光器件包括导电支撑构件;在导电支撑构件上的发光结构,该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层;以及在发光结构上的保护器件。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 制造 方法 照明 系统 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:导电支撑构件;发光结构,所述发光结构在所述导电支撑构件上,包括在所述导电支撑构件上的第二导电半导体层、在所述第二导电半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第一导电半导体层;保护器件和第一电极,所述保护器件和所述第一电极在所述第一导电半导体层上;以及保护构件,所述保护构件在所述导电支撑构件的顶表面的外围部分处,其中,所述第一导电半导体层包括第二导电掺杂物,其中,所述保护器件包括:主体,设置在所述主体的上部的一部分处的第一导电掺杂物,以及在所述主体上的第三电极,其中,所述保护器件包括:掺杂部分,所述掺杂部分设置在所述主体的上部处并且包括第二导电掺杂物;以及第二电极,所述第二电极在所述掺杂部分上,其中,所述保护构件包括具有电气绝缘特性的材料,所述保护器件的主体包括导电构件,以及其中,所述主体的第一导电掺杂物与所述第一导电半导体层相比是相反的导电类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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