[发明专利]掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201410258793.7 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104018225B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 赵显;刘彦庆;于法鹏;陈菲菲;侯帅;王正平;周莹;程秀凤 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;H01S3/16 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体，包括由化学式A3BGa3Si2O14系列晶体，其中，A为Ca或Sr，所述B为Nb或Ta；根据上述记载，掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体包括NdCa3TaGa3Si2O14、NdSr3TaGa3Si2O14、NdSr3NbGa3Si2O14和NdCa3NbGa3Si2O14，该四种晶体均能实现自倍频。本发明还提供一种上述掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体的制备方法。本发明还提供一种上述掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体的应用，采用商用的中心波长为808nm的半导体激光器泵浦(LD),利用掺钕A3BGa3Si2O14(A＝Ca,Sr；B＝Nb,Ta)系列晶体其增益介质及非线性光学的性能，获得输出波长533nm的绿光自倍频激光，该激光器具有转化效率高、结构紧凑、小型化、可靠性高、寿命长等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 掺钕 a3bga3si2o14 系列 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体，其特征在于，其中晶体化学式为：Nd:A3BGa3Si2O14，其中，所述A为Ca或Sr，所述B为Nb或Ta；所述掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体中，钕离子的掺杂浓度为0.3～10at％。
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