[发明专利]掺钕A3BGa3Si2O14系列晶体及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄系列晶体，包括由化学式A₃BGa₃Si₂O₁₄系列晶体，其特征在，其中晶体化学式Nd:A₃BGa₃Si₂O₁₄其中，A为Ca或Sr，所述B为Nb或Ta。

2.根据权利要求1所述的一种掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄系列晶体，其特征在于，所述掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄系列晶体中，钕离子的掺杂浓度为0.3～10at％。

3.一种如权利要求1或2所述掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄系列晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)按照现有技术进行化学计量比配料，然后依次进行混料、烧料、压料、再烧料步骤，充分固相反应后得到掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄多晶；

(2)将上述得到的掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄多晶放到铱金坩埚里，采用高温单晶提拉炉进行生长，生长成为掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄系列晶体；

(3)对所述的掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄系列晶体进行切角加工。

4.如权利要求3所述的掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄系列晶体的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，采用高温单晶提拉炉进行生长，其生长速度为0.2～2mm/h,晶体旋转速度为5～20r/min,生长时间为3～7天，生长成为掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄系列晶体。

5.如权利要求3所述的掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄系列晶体的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，待所述掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄系列晶体生长结束后，将上述得到的掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄系列晶体进行退火，退火温度在1000-1400℃。

6.如权利要求3所述的掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄系列晶体的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，待所述掺钕A₃BGa₃Si₂O₁₄系列晶体生长结束后，将高温单晶提拉炉按10～50℃/h的降温速率降至16-26℃后取出晶体。